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      化合物半導體 Compound Semi
        化合物半導體材料包括磷化銦(InP)、 砷化鎵(GaAs)、 氮化鎵(GaN)、銻化鎵(GaSb)、銻化銦(InSb)、 碲鎘汞(HgCdTe) 等,適合制備高頻、高速器件,多應用于光纖通訊、無線通訊、衛星通訊、高端功率器件等領域,在未來尖端技術領域擁有舉足輕重的地位,是提升新一代信息技術核心競爭力的決定性因素之一。在化合物半導體領域,NAURA定制開發了化合物半導體刻蝕機、PECVD系統、槽式清洗系統和臥式擴散/氧化系統,為客戶提供全面的設備及工藝解決方案。
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